【實驗目的】

本實驗就是要在基板上覆蓋S1813光阻，並利用黃光微影的方法在基板上形成圖案，再用蒸鍍法沉積金屬薄膜，並以溶劑舉離S1813進而帶走上方不需要之光阻與金屬，而所定義出之金屬圖案則被保留，此法常用於矽晶片上製造金屬圖案，尤其適合在難蝕刻的金屬上製作導電層，利用這樣的方法我們可以得到微奈米級的金屬線圖樣以供後續製程及相關產業使用。

【所需器材】

黃光微影設備

光阻劑(S1813)

舉離阻劑

顯影液

舉離液

顯微鏡

【實驗方法及步驟】

本實驗分為三部份，黃光微影、鍍膜、舉離

黃光微影：利用舉離阻劑與光阻劑S1813在Si基板上作出需要的圖樣

鍍    膜：將黃光微影製程完的Si基板鍍上Cr

舉    離：利用舉離液將基板上的舉離阻劑與附著在舉離阻劑上方的光阻劑與金屬去除，留下需要的金屬

 【實驗結果】