馮世維教授及合作者在Optical Materials Express發表氮化銦鎵p-n接面太陽能電池理論模擬研究，包含上接面與下接面具有不同銦成份與厚度。藉由改變元件結構、空乏區位置、銦成份、光子穿透深度，理論計算與模擬氮化銦鎵p-n接面太陽能電池的物理特性，如短路電流、開路電壓、填充係數、與轉換效率。模擬結果顯示，In_0.6Ga_0.4N可表現短路電流~31.8 mA/cm²、開路電壓~0.874 volt、填充係數~0.775、與轉換效率~21.5%，證明中銦成份氮化銦鎵可用來實現高效率太陽能電池。詳見Optical Materials Express, Vol. 3, Issue 10, pp. 1777-1788, 2013 Oct.