實驗目的：
利用黃光微影的方法在基板上做出顯影圖案以便明瞭黃光微影程序
所需器材：
Si基板，丙酮，酒精，去離子水，震洗器，正光阻液(S1813)，顯影液(MF319)，遮罩，紫外光曝光箱，加熱器，旋舖機，氮氣槍。
實驗原理：
光阻可分為正、負光阻，和曝光部分是否會溶於特殊溶液有關。對正光阻而言，曝光的部分產生光化學反應，使曝光部分與沒曝光部分於顯影液中的溶解度不同，而使曝光部分被溶解，沒曝光部分則留存。對負光阻而言則作用相反，將使使曝光部分保留。
正光阻的成分有三種：溶劑、樹脂、光活性化合物。溶劑可讓光阻保持容液狀態使光阻可以旋舖方式塗佈在基板上。樹脂提供光阻的粘著性、抗蝕刻能力，並可被鹼性顯影液分解。光活性化合物對特殊光線具有靈敏性，又稱為感應劑。在與入射光感應前，感應劑可以抑制顯影液對樹脂的分解，所以又稱為抑制劑。但一旦與入射光反應，產生光化學反應的感應劑將會以數千至數百萬倍的速率與顯影液發生反應。因此曝光部分與非曝光部分再顯影液中的顯影速率有極大的差距，可以得到我們想要的圖案。
實驗方法及步驟：
1.將Si基板依丙酮、酒精、去離子水的順序放入震洗器各震洗5分鐘。
2.用氮氣槍將基板上水珠吹乾，並於加熱板上以200oC烤乾2分鐘。
3.將基板放入旋舖機，滴上S1813旋舖30秒(前5秒500rpm後25秒4000rpm)，如下圖。
4.將旋舖好的基板，用加熱器120oC烤2分鐘(軟烤)。
5.將基板放入曝光箱，並置入光罩，曝光。
6.置入顯影液中，輕搖約30秒，取出後用去離子水清洗，並吹乾，如下圖。
7.取出基板，用加熱板以120oC烤2分鐘(硬烤)。
實驗結果：
1.一般人造圖案(基板大小約1cmx1cm)
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2.2吋晶圓大面積曝光
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參考文獻:
黃家麒, 四道光干涉微影之曝光與顯影參數對微結構輪廓及深度之探討, 碩士論文
